高通确认将于12月3日举行Snapdragon技术峰会的几天后，Snapdragon 865可能会发布，由于新的泄漏，即将到来的旗舰芯片组在网上浮出水面。距离正式发布还有约三周的时间，我们现在可以获得更多有关明年将为高端智能手机提供动力的旗舰芯片组的信息。

中国泄密者@DigitalChatStation在微博上泄露了Snapdragon 865的核心配置。根据泄漏，SD865将像先前的Snapdragon 855一样是八核芯片组。与以前一样，Snapdragon 865将采用1 + 3 + 4内核设置，其中包括一个用于高性能的主内核，三个中核强度稍低的任务，其余四个任务的效率核心。

泄漏进一步揭示了主要内核将基于峰值频率为2.84GHz的ARM Cortex-A77，而三个中核将在2.42 GHz上运行，这也基于基于Cortex-A77的定制设计来建模。最后，四个效率内核将以1.8GHz时钟运行，并将基于Cortex-A55内核。泄漏还显示，SD865上的GPU将是主频为587MHz的Adreno 650。

有趣的是，泄漏内核的配置和时钟速度与Snapdragon 855相同。尽管如此，由于基于最新ARM内核的定制内核设计，性能仍有提升的空间。泄密者声称，高通公司希望将CPU性能提高20%，将GPU渲染提高17%至20%。目前尚无关于功率效率提升的信息，但基于ARM从微体系结构的角度来看，新的CPU内核与其前代产品并没有太大区别，我们希望它与Snapdragon 855大致相同。之前，Snapdragon 865出现在Geekbench上，显示基准数字提高了17%。

Snapdragon 865可能会在明年年初与三星Galaxy S11系列在美国首次亮相，最好是在巴塞罗那世界移动通信大会前几天。它将采用台积电的7nm工艺制造，该芯片的一种变体可能带有集成的5G调制解调器，很可能是Snapdragon X55 5G调制解调器。

自12月3日起，我们将在夏威夷举行的Snapdragon峰会上进行更深入的报道，预计高通公司还将宣布用于笔记本电脑，中端手机，可穿戴设备和智能扬声器的芯片。